Найдено 149 товаров
SP3, 8 ядер, частота 4.1/3.7 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W
SP3, 8 ядер, частота 4.1/3.7 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/3.2 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/3.2 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W
2024 г, Raphael, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.7/4.1 ГГц, кэш 6 МБ + 96 МБ, техпроцесс 5 нм
2024 г, Raphael, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.7/4.1 ГГц, кэш 6 МБ + 96 МБ, техпроцесс 5 нм
2023 г, Storm Peak, TR5, 64 ядра, 128 потоков, частота 5100/3200 ГГц, кэш 64 МБ + 256 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 350W
2023 г, Storm Peak, TR5, 64 ядра, 128 потоков, частота 5100/3200 ГГц, кэш 64 МБ + 256 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 350W
Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.7/3.4 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W
Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.7/3.4 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W
2019 г, Cascade Lake, LGA3647, 6 ядер, 6 потоков, частота 1.9 ГГц, кэш 8.25 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 85W
2019 г, Cascade Lake, LGA3647, 6 ядер, 6 потоков, частота 1.9 ГГц, кэш 8.25 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 85W
2021 г, Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, 48 потоков, частота 3.4/2.1 ГГц, кэш 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W
2021 г, Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, 48 потоков, частота 3.4/2.1 ГГц, кэш 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W
Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 3.6/2.4 ГГц, кэш 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W
Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 3.6/2.4 ГГц, кэш 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W
2019 г, Cascade Lake, LGA2066, 12 ядер, 24 потока, частота 4.8/3.5 ГГц, кэш 19.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W
2019 г, Cascade Lake, LGA2066, 12 ядер, 24 потока, частота 4.8/3.5 ГГц, кэш 19.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W
Genoa, SP5, 16 ядер, частота 3.7/3 ГГц, кэш 1 МБ + 64 МБ, техпроцесс 6 нм, TDP 200W
Genoa, SP5, 16 ядер, частота 3.7/3 ГГц, кэш 1 МБ + 64 МБ, техпроцесс 6 нм, TDP 200W
2021 г, Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, 32 потока, частота 3.6/3.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR4, TDP 205W
2021 г, Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, 32 потока, частота 3.6/3.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR4, TDP 205W
2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/3.2 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 95W
2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/3.2 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 95W
2023 г, Emerald Rapids, LGA4677, 16 ядер, 32 потока, частота 3.4/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм
2023 г, Emerald Rapids, LGA4677, 16 ядер, 32 потока, частота 3.4/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм
Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4/3.2 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 130W
Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4/3.2 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 130W
Sapphire Rapids, LGA4677, 28 ядер, частота 4.1/2 ГГц, кэш 52.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W
Sapphire Rapids, LGA4677, 28 ядер, частота 4.1/2 ГГц, кэш 52.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W
Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3.5/2.2 ГГц, кэш 1 МБ + 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W
Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3.5/2.2 ГГц, кэш 1 МБ + 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W
Genoa, SP5, 24 ядра, 48 потоков, частота 4.3/4.05 ГГц, кэш 256 МБ, TDP 320W
Genoa, SP5, 24 ядра, 48 потоков, частота 4.3/4.05 ГГц, кэш 256 МБ, TDP 320W
Genoa, SP5, 96 ядер, частота 3.55/2.4 ГГц, кэш 384 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W
Genoa, SP5, 96 ядер, частота 3.55/2.4 ГГц, кэш 384 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W
SP3, 64 ядра, частота 3.5/2.45 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W
SP3, 64 ядра, частота 3.5/2.45 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W
Genoa, SP5, 32 ядра, частота 3.9/2.7 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 240W
Genoa, SP5, 32 ядра, частота 3.9/2.7 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 240W
2022 г, Zen 3, WRX8, 64 ядра, 128 потоков, частота 4.5/2.7 ГГц, кэш 32 МБ + 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W
2022 г, Zen 3, WRX8, 64 ядра, 128 потоков, частота 4.5/2.7 ГГц, кэш 32 МБ + 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W
